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VND5N0713TR

OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Description The VND5N07 is a monolithic device designed in STMicroelectronics VIPower M0 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC to 50KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND5N0713TR

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:管件 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK 集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND5N0713TR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VND5N0713TR

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 70V 5A OmniFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-5 17:51:00
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