VND14NV04-1-E价格

参考价格:¥5.1488

型号:VND14NV04-1-E 品牌:STMICROELECTRONICS 备注:这里有VND14NV04-1-E多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,VND14NV04-1-E批发/采购报价,VND14NV04-1-E行情走势销售排行榜,VND14NV04-1-E报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
VND14NV04-1-E

OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND14NV04-1-E

封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 包装:管件 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 IPAK 集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器

STMICROELECTRONICS

意法半导体

fully autoprotected Power MOSFET

Description The VNB14NV04, VND14NV04, VND14NV04-1 and VNS14NV04 are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower™ M0 technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp

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意法半导体

OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

Description The VNB14NV04, VND14NV04, VND14NV04-1 and VNS14NV04 are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower™ M0 technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp

STMICROELECTRONICS

意法半导体

?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Description The VNB14NV04, VND14NV04, VND14NV04-1 and VNS14NV04 are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower™ M0 technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp

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意法半导体

?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

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VND14NV04-1-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VND14NV04-1-E

  • 功能描述

    电源开关 IC - 配电 N-Ch 40V 12A OmniFET

  • RoHS

  • 制造商

    Exar

  • 输出端数量

    1

  • 开启电阻(最大值)

    85 mOhms

  • 开启时间(最大值)

    400 us

  • 关闭时间(最大值)

    20 us

  • 工作电源电压

    3.2 V to 6.5 V

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOT-23-5

更新时间:2025-10-18 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
NA/
3682
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ST(意法半导体)
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ST/意法半导体
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TO-252-2(DPAK)
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