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VNB28N04TR-E

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:管件 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK 集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器

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意法半导体

VNB28N04TR-E

MOSFET OMNIFET 42V 28A D2PAK

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?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

DESCRIPTION The VNP28N04FI, VNB28N04 and VNV28N04 are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the

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OMNIFET FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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OMNIFET FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

DESCRIPTION The VNP28N04 is a monolithic device made using STMicroelectronics VIPower Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh enviroments. F

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?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

DESCRIPTION The VNP28N04 is a monolithic device made using STMicroelectronics VIPower Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh enviroments. F

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VNB28N04TR-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VNB28N04TR-E

  • 功能描述

    电源开关 IC - 配电 OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    Exar

  • 输出端数量

    1

  • 开启电阻(最大值)

    85 mOhms

  • 开启时间(最大值)

    400 us

  • 关闭时间(最大值)

    20 us

  • 工作电源电压

    3.2 V to 6.5 V

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOT-23-5

更新时间:2025-10-17 15:37:00
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