位置：首页 > IC中文资料第2169页 > VMMK-1218-TR1G
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VMMK-1218-TR1G | 0.5 to 18 GHz Low Noise E-PHEMT in a Wafer Scale Package 文件：837.68 Kbytes Page：12 Pages | AVAGO 安华高 |   | |
VMMK-1218-TR1G | 封装/外壳：0402（1005 公制） 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 5V 10GHZ 0402 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | BOARDCOM 博通 | |
VMMK-1218-TR1G产品属性
- 类型
描述
- 型号
VMMK-1218-TR1G
- 功能描述
射频GaAs晶体管 LNA FET in Microcap DC-18GHz
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
更新时间：2026-7-31 17:21:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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