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VI40120C价格
参考价格：￥7.8586
型号：VI40120C-E3/4W 品牌：Vishay 备注：这里有VI40120C多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，VI40120C批发/采购报价，VI40120C行情走势销售排行榜，VI40120C报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VI40120C | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
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VI40120C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 文件：167.93 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VI40120C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：142.32 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VI40120C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
肖特基二极管与整流器 40 Amp 120 Volt | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 文件：167.93 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：149.75 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：149.75 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 文件：167.93 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE SCHOTTKY 40A 100V TO-262AA 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
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封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 40A 100V TO-262AA 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：142.32 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
120 W, RF Power GaN HEMT Description Cree’s CGH40120F is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CGH40120F, operating from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high gain an | WOLFSPEED | | ||
120 W, RF Power GaN HEMT Description Wolfspeed’s CGH40120P is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CGH40120P, operating from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high ga | WOLFSPEED | | ||
120 W, RF Power GaN HEMT 文件：1.21044 Mbytes Page：13 Pages | Cree 科锐 | | ||
120 W, RF Power GaN HEMT 文件：1.21044 Mbytes Page：13 Pages | Cree 科锐 | | ||
120 W, RF Power GaN HEMT 文件：1.21044 Mbytes Page：13 Pages | Cree 科锐 | |
VI40120C产品属性
- 类型
描述
- 型号
VI40120C
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
22+ |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
||||
ST/意法 |
23+ |
D2PAKTO- |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
VISHAY |
23+ |
TO220 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
VISHAY |
25+ |
TO220 |
190 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
VISHAY |
0605+ |
TO220 |
22 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
VISHAY |
24+ |
TO-262-3 |
8866 |
||||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
TO262AA |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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VISHAY |
24+ |
TO220 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
Vishay General Semiconductor - |
25+ |
TO-262-3 长引线 I?Pak TO-26 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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