位置：首页 > IC中文资料第7133页 > VI30150C
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VI30150C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
VI30150C | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB a | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VI30150C | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：148.99 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VI30150C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.6 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VI30150C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：130.63 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VI30150C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：159.93 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VI30150C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：169.29 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
肖特基二极管与整流器 30 Amp 150 Volt Dual TrenchMOS | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.6 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：169.29 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE SCHOTTKY 30A 150V TO-262AA 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：130.63 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
整流器 30A,150V,TRENCH SKY RECT. | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 30A 150V TO-262AA 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：130.63 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
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Super Low Barrier High Voltage Power Rectifier 文件：489.84 Kbytes Page：3 Pages | CITC 竹懋科技 | | ||
Super Low Barrier High Voltage Power Rectifier 文件：480.05 Kbytes Page：3 Pages | CITC 竹懋科技 | | ||
High frequency operation 文件：710.65 Kbytes Page：3 Pages | LITTELFUSE 力特 | | ||
Cable assembly with T812 series connector w/SR 文件：169.93 Kbytes Page：1 Pages | AMPHENOLCS 安费诺 | |
VI30150C产品属性
- 类型
描述
- 型号
VI30150C
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY原装 |
25+23+ |
TO-262 |
22983 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-262 |
12000 |
原装正品真实现货杜绝虚假 |
|||
24+ |
QFP |
50 |
|||||
Vishay |
26+ |
SOT-89 |
86720 |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
|||
VISHAY/威世 |
25+ |
TO-262 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
原厂正品 |
23+ |
QFP-128 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
Vishay(威世) |
2511 |
N/A |
11800 |
电子元器件采购降本 30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
VISHAYSEMICONDUCTORDIODESDIVIS |
23+ |
TO-262 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
24+ |
N/A |
62000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
TO262AA |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
VI30150C规格书下载地址
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- VI30150C-M3-4W
- VI30150C-M3/4W
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- VI30150C-E3/4W
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- VI30120SG-E3/4W
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