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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VI30120C-E3SLASH4W | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |   | |
VI30120C-E3SLASH4W | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.22 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-262AA |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
TO262AA |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
24+ |
QFP |
178 |
|||||
24+ |
N/A |
46000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
NS/国半 |
23+ |
MSOP8 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
Vishay General Semiconductor - |
25+ |
TO-262-3 长引线 I?Pak TO-26 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
VISHAY |
18+ |
TO-262 |
41200 |
原装正品,现货特价 |
|||
VISHAY |
1809+ |
TO-262 |
3675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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