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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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VI20120S-E3 | High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 2 | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
VI20120S-E3 | High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
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VI20120S-E3 | High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC • Haloge | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC • Haloge | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO262AA 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.33 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
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High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 2 | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
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VI20120S-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
VI20120S-E3
- 功能描述
肖特基二极管与整流器 20 Amp 120 Volt
- RoHS
否
- 制造商
Skyworks Solutions, Inc.
- 产品
Schottky Diodes
- 峰值反向电压
2 V
- 正向连续电流
50 mA
- 配置
Crossover Quad
- 正向电压下降
370 mV
- 最大功率耗散
75 mW
- 工作温度范围
- 65 C to + 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOT-143
- 封装
Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
24+ |
TO262AA |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
Vishay/GeneralSemiconduc |
24+ |
TO-262AA |
620 |
||||
VISHAY |
24+ |
TO262AA |
8000 |
新到现货，只做全新原装正品 |
|||
VICOR |
24+ |
12V-12V-75W |
6868 |
原装现货,可开13%税票 |
|||
VISHAY原装 |
24+ |
TO-262 |
30980 |
原装现货/放心购买 |
|||
VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
VISHAY |
24+ |
TO262AA |
12000 |
原装正品 假一罚十 可拆样 |
|||
VISHAY |
22+ |
TO262AA |
20000 |
公司只做原装 品质保证 |
|||
VISHAY/威世 |
2447 |
TO262 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
VISHAY原装 |
25+23+ |
TO-262 |
24164 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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- VI20120S-M3-4W
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