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VI20120C-E3/4W	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.54VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) •Componentinacco	VishayVishay Siliconix 威世科技
VI20120C-E3/4W	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier 文件：163.15 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技
VI20120C-E3/4W	封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 包装：散装描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO262 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V20120C-E3/4W	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.54VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) •Componentinacco	VishayVishay Siliconix 威世科技
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VI20120C-E3/4W产品属性

类型
描述
型号
VI20120C-E3/4W
功能描述
肖特基二极管与整流器 20 Amp 120 Volt Dual TrenchMOS
RoHS
否
制造商
Skyworks Solutions, Inc.
产品
Schottky Diodes
峰值反向电压
2 V
正向连续电流
50 mA
配置
Crossover Quad
正向电压下降
370 mV
最大功率耗散
75 mW
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
SOT-143
封装
Reel

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更新时间：2024-5-8 19:11:00

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