位置：首页 > IC中文资料第9418页 > VHT1M160
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VHT1M160 | 105째CALUMINUMELECTROLYTIC 文件：17.87 Kbytes Page：2 Pages | NTE NTE Electronics, Inc |  |   |
GlassPassivatedJunctionSiliconZenerDiode Features ♦Lowprofilepackage ♦Built-instrainrelief ♦Glasspassivatedjunction ♦Lowinductance ♦TypicalIRlessthan5uAabove11V ♦Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10secondsatterminals ♦PlasticpackagehasUnderwriters LaboratoryFlammabilityCl | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半 台湾半导体股份有限公司 |  | | |
GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE VOLTAGE-11TO200VoltsPower-1.0Watt FEATURES •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Glasspassivatedjunction •Lowinductance •TypicalIRlessthan5.0Aabove11V •Hightemperaturesoldering:260°C/10secondsatterminals •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory | TRSYS Transys Electronics |  | | |
GlassPassivatedJunctionSiliconZenerDiode Features ♦Lowprofilepackage ♦Built-instrainrelief ♦Glasspassivatedjunction ♦Lowinductance ♦TypicalIRlessthan5uAabove11V ♦Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10secondsatterminals ♦PlasticpackagehasUnderwriters LaboratoryFlammabilityCl | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半 台湾半导体股份有限公司 | | | |
1.0WattsGlassPassivatedJunctionSiliconZenerDiode 文件：626.04 Kbytes Page：5 Pages | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半 台湾半导体股份有限公司 | | | |
GlassPassivatedJunctionSiliconZenerDiode 文件：1.18579 Mbytes Page：5 Pages | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半 台湾半导体股份有限公司 | | |
VHT1M160产品属性
- 类型
描述
- 型号
VHT1M160
- 制造商
NTE
- 制造商全称
NTE Electronics
- 功能描述
105∑C ALUMINUM ELECTROLYTIC
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOKO |
23+ |
NA/ |
6036 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
TOKO |
23+ |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
||||
TOKO |
23+ |
SMD |
9000 |
进口原装现货支持实单欢迎来电 |
|||
23+ |
N/A |
98000 |
一级代理放心采购 |
||||
TOKO/东光 |
24+23+ |
12580 |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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