位置：首页 > IC中文资料第9418页 > VHT1M160
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VHT1M160 | 105째C ALUMINUM ELECTROLYTIC 文件：17.87 Kbytes Page：2 Pages | NTE |   | |
VHT1M160 | 牛角型电解电容 | NTE | | |
Glass Passivated Junction Silicon Zener Diode Features ♦ Low profile package ♦ Built-in strain relief ♦ Glass passivated junction ♦ Low inductance ♦ Typical IR less than 5uA above 11V ♦ High temperature soldering guaranteed: 260℃ / 10 seconds at terminals ♦ Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Cl | TSC 台湾半导体 | | ||
GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON ZENER DIODE VOLTAGE - 11 TO 200 Volts Power - 1.0 Watt FEATURES • Low profile package • Built-in strain relief • Glass passivated junction • Low inductance • Typical IR less than 5.0 A above 11V • High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals • Plastic package has Underwriters Laboratory | TRSYS Transys Electronics | | ||
Glass Passivated Junction Silicon Zener Diode Features ♦ Low profile package ♦ Built-in strain relief ♦ Glass passivated junction ♦ Low inductance ♦ Typical IR less than 5uA above 11V ♦ High temperature soldering guaranteed: 260℃ / 10 seconds at terminals ♦ Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Cl | TSC 台湾半导体 | | ||
1.0 Watts Glass Passivated Junction Silicon Zener Diode 文件：626.04 Kbytes Page：5 Pages | TSC 台湾半导体 | | ||
Glass Passivated Junction Silicon Zener Diode 文件：1.18579 Mbytes Page：5 Pages | TSC 台湾半导体 | |
VHT1M160产品属性
- 类型
描述
- 型号
VHT1M160
- 制造商
NTE
- 制造商全称
NTE Electronics
- 功能描述
105∑C ALUMINUM ELECTROLYTIC
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOKO/东光 |
2450+ |
SMD |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
TOKO |
24+ |
SMD |
9000 |
进口原装现货支持实单欢迎来电 |
|||
TOKO |
24+ |
60000 |
全新原装现货 |
||||
24+ |
N/A |
73000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
TOKO |
23+ |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
||||
TOKO |
24+ |
NA/ |
6036 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
YMIN |
22+ |
NA |
10000 |
只做原装,优势渠道 ,欢迎实单联系 |
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