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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VHT10M25 | 105째C ALUMINUM ELECTROLYTIC 文件：17.87 Kbytes Page：2 Pages | NTE |   | |
VHT10M25 | 牛角型电解电容 | NTE | | |
105째C ALUMINUM ELECTROLYTIC 文件：17.87 Kbytes Page：2 Pages | NTE | | ||
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. • Faster Switching | ADPOW | | ||
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. 文件：65.68 Kbytes Page：4 Pages | ADPOW | | ||
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VHT10M25产品属性
- 类型
描述
- 型号
VHT10M25
- 制造商
NTE Electronics
- 功能描述
Cap Aluminum 10uF 25V 20%(5 X 11mm) Radial 2mm 1000 hr 105°C
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
24+ |
TSOP-14P |
1000 |
||||
26+ |
N/A |
70000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
TOKO |
23+ |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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