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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VFT3060G-M3-4W | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.42 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Not recommended for PCB bottom side wave mounting • Solder bath temperature 275 °C maximum | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Not recommended for PCB bottom side wave mounting • Solder bath temperature 275 °C maximum | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
VFT3060G-M3-4W产品属性
- 类型
描述
- 型号
VFT3060G-M3-4W
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
3621 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO220F |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
VISHAY |
13+ |
TO-220F |
352 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
VISHAY/威世 |
21+ |
TO220F |
1000 |
||||
VISHAY/威世 |
TO220F |
23+ |
6000 |
原装现货有上库存就有货全网最低假一赔万 |
|||
VISHAY |
25+23+ |
TO220F |
37093 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-220F |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
VISHAY/威世 |
22+ |
TO220F |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO220F |
54000 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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VDS1022
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VDRUS14X385BSE
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?VHR100+2815D 非常适合军事、航空电子、无人系统以及制造设备和控制中的非飞行关键解决方案。
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H5MS1G22MFP-J3
2019-9-25
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