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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VF20120C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package) • Component in acco | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
VF20120C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VF20120C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.22 Kbytes Page：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VF20120C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package) • Component in acco | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package) • Component in acco | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package) • Component in acco | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.22 Kbytes Page：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.87 Kbytes Page：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片 包装：管件 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V ITO220 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.15 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.15 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 120V ITO220AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.22 Kbytes Page：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Silicon Power Rectifier Silicon Power Rectifier ● Glass Passivated Die ● Low Forward Voltage ● 200A Surge Rating ● Glass to metal construction ● VRRM to 1200V ● Excellent reliability | MICROSEMI 美高森美 | | ||
Silicon Power Rectifier Silicon Power Rectifier ● Glass Passivated Die ● Low Forward Voltage ● 200A Surge Rating ● Glass to metal construction ● VRRM to 1200V ● Excellent reliability | MICROSEMI 美高森美 | | ||
SILICON POWER RECTIFIER Silicon Power Rectifier ● Glass Passivated Die ● Low Forward Voltage ● 200A Surge Rating ● Glass to metal construction ● VRRM to 1200V | MICROSEMI 美高森美 | | ||
RECTIFIER 文件：358.49 Kbytes Page：5 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
RECTIFIER 文件：358.49 Kbytes Page：5 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | |
VF20120C产品属性
- 类型
描述
- 型号
VF20120C
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2016+ |
TO220-3 |
9000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
VISHAY |
24+ |
TO220F |
8000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
VISHAY/威世 |
2026+ |
TO220F-3 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
ITO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-220F-3 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
VISHAY |
1521+ |
TO220 |
900 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
VISHAY |
24+ |
TO220-3 |
7850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
VISHAY |
25+ |
TO220-3 |
18600 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
VISHAY原装 |
25+23+ |
TO-220F |
23892 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
VISHAY/威世 |
TO220-3 |
125000 |
一级代理原装正品,价格优势,长期供应! |
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- VF20150C_10
- VF20150C
- VF20120S-M3/4W
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- VF20120SG-E3/45
- VF20120SG_10
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- VF20120S-E3/45
- VF20120S
- VF20120C-M3-4W
- VF20120C-M3/4W
- VF20120C-E3/4W
- VF20120C_10
- VF20100S-M3/4W
- VF20100SG-M3/4W
- VF20100SG-E3-4W
- VF20100SG-E3/4W
- VF20100SG-E3/45
- VF20100SG
- VF20100S-E3/4W
- VF20100S-E3/45
- VF20100S
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VF20120C数据表相关新闻
VDS1022
优势渠道
2023-6-27VEMI85AA-HGK-GS08
VEMI85AA-HGK-GS08
2023-4-20VDRUS14X385BSE
VDRUS14X385BSE
2021-8-17VHR100+2815D 全系列DC-DC转换器供应
?VHR100+2815D 非常适合军事、航空电子、无人系统以及制造设备和控制中的非飞行关键解决方案。
2021-6-10VHR100+2812D DC-DC转换器 供应
VHR100+2812D 非常适合军事、航空电子、无人系统以及制造设备和控制中的非飞行关键解决方案。
2021-6-10vH5MS1G22MFP-J3
H5MS1G22MFP-J3
2019-9-25
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