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VBT5200-E3-8W

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AC, ITO-220AC and TO-262AA package

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

VBT5200-E3-8W产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VBT5200-E3-8W

  • 制造商

    VISHAY

  • 制造商全称

    Vishay Siliconix

  • 功能描述

    Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

更新时间:2025-10-16 10:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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VISHAY/威世
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