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VBT3045CBP-M3_V01

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • TJ 200 °C max. in solar bypass mode application • Material categorization: for definitions of compliance please

VishayVishay Siliconix

威世科技

更新时间:2025-10-5 20:00:00
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