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VBE1606_V01

N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • Package with Low Thermal Resistance • 100 Rg and UIS Tested

VBSEMI

微碧半导体

MAGNETIC BUZZER TRANSDUCER

FEATURES • through hole • 6 V rated • externally driven

CUI

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET • Material categorization:

VBSEMI

微碧半导体

28V Internal Switch LCD Bias Supply with True Shutdown

文件:664.98 Kbytes Page:10 Pages

Maxim

美信

更新时间:2025-9-23 14:44:00
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全新、原装

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