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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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VBA1101M_V01 | N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 UIS Tested APPLICATIONS • High Frequency Boost Converter • LED Backlight for LCD TV | VBSEMI 微碧半导体 |   | |
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested • Material categorization: APPLICATIONS • DC/DC Converters • Load Switch • LED Backlighting in LCD TVs | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 150 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • Low Thermal Resistance Package • 100 Rg Tested APPLICATIONS • Isolated DC/DC Converters | VBSEMI 微碧半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBSEMI |
23+ |
SOIC-8 |
11200 |
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SMCCorporation |
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全新原装 货期两周 |
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VBsemi(台湾微碧) |
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VBSEMI |
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查现货到京北通宇商城 |
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VBE2104N,TO-252,P-Channel 100 V (D-S) MOSFET
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2021-6-17V962PBC-33LP
二三极管、连接器、模块、光耦、电容电阻、单片机、处理器、晶振、传感 器、逻辑芯片、电源芯片、放大器、
2019-3-12
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