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VB60100C-M3

Low forward voltage drop, low power losses

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VISHAYVishay Siliconix

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5

分立 ·Trench MOS Schottky technology\n·Low forward voltage drop, low power losses\n·High efficiency operation;

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封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:卷带(TR) 描述:DIODE SCHOTTKY 60A 100V TO-263AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

ETC

知名厂家

肖特基二极管与整流器 60A,100V,TRENCH SKY RECT.

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封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:DIODE SCHOTTKY 60A 100V TO-263AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

ETC

知名厂家

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Trench MOS Schottky technology

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更新时间:2026-5-19 22:30:00
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    VBE5415,TO-252,全新原装,门市自取或当天发货.

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    VBE2104N,TO-252,P-Channel 100 V (D-S) MOSFET

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  • VAS1260

    VAS1260,全新.当天发货或门市自取,如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一/零七五五,八五二七四六六二 ,企鹅:一一七四零五二三五三/一八五二三 四六九零六.V:八七六八零五五八.

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