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VB40170C-M3/I

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:管件 描述:40A 170V TO-263 TRENCH SKY RECT 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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更新时间:2025-10-17 22:59:00
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