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VB40120C价格
参考价格：￥7.9314
型号：VB40120C-E3/4W 品牌：Vishay 备注：这里有VB40120C多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，VB40120C批发/采购报价，VB40120C行情走势销售排行榜，VB40120C报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VB40120C | Schotty Barrier Diode FEATURES · Low Forward Voltage Drop, Low Power losses · High Efficiency Operation · SMD APPLICATIONS · Switching Power Supply (SPS) · High Frequency Converter · DC/DC Converter | ISC 无锡固电 |   | |
VB40120C | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：148.48 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | |
VB40120C | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：158.26 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | |
VB40120C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 文件：167.93 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：149.75 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 文件：167.93 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：149.75 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 文件：167.93 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO263 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：149.75 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 文件：167.93 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：149.75 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 文件：167.93 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 40A 120V TO-263AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
120 W, RF Power GaN HEMT Description Cree’s CGH40120F is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CGH40120F, operating from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high gain an | WOLFSPEED | | ||
120 W, RF Power GaN HEMT Description Wolfspeed’s CGH40120P is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CGH40120P, operating from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high ga | WOLFSPEED | | ||
120 W, RF Power GaN HEMT 文件：1.21044 Mbytes Page：13 Pages | Cree 科锐 | | ||
120 W, RF Power GaN HEMT 文件：1.21044 Mbytes Page：13 Pages | Cree 科锐 | | ||
120 W, RF Power GaN HEMT 文件：1.21044 Mbytes Page：13 Pages | Cree 科锐 | |
VB40120C产品属性
- 类型
描述
- 型号
VB40120C
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY(威世) |
24+ |
TO-263AB |
5627 |
百分百原装正品,可原型号开票 |
|||
VISHAY |
2016+ |
TO263 |
3500 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
VISHAY/威世 |
1926+ |
TO-263 |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
VISHAY |
25+23+ |
TO-263 |
15972 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
VISHAY/威世 |
22+ |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
||||
VISHAY/威世 |
10+ |
TO-263 |
644 |
原装进口无铅现货 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
PBF |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
210494 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
||||
VISHAY(威世) |
24+ |
TO-263AB |
1471 |
特价优势库存质量保证稳定供货 |
|||
VIS |
24+ |
700 |
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2023-2-3VAWQ6-Q48-D15H
进口代理
2022-8-18VBE5415
VBE5415,TO-252,全新原装,门市自取或当天发货.
2022-6-25VBE2104N
VBE2104N,TO-252,P-Channel 100 V (D-S) MOSFET
2022-6-25VAS1260
VAS1260，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一/零七五五，八五二七四六六二 ，企鹅:一一七四零五二三五三/一八五二三 四六九零六.V:八七六八零五五八.
2021-6-17V962PBC-33LP
二三极管、连接器、模块、光耦、电容电阻、单片机、处理器、晶振、传感 器、逻辑芯片、电源芯片、放大器、
2019-3-12
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