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位置：首页 > IC中文资料第7123页 > VB30200C

VB30200C价格

参考价格：￥7.3493

型号：VB30200C-E3/4W 品牌：Vishay 备注：这里有VB30200C多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，VB30200C批发/采购报价，VB30200C行情走势销售排行榜，VB30200C报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
VB30200C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

VB30200C

Schotty Barrier Diode

FEATURES · Low Forward Voltage Drop, Low Power losses · High Efficiency Operation · SMD APPLICATIONS · Switching Power Supply (SPS) · High Frequency Converter · DC/DC Converter

ISC

无锡固电

VB30200C

Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

VISHAYVishay Siliconix

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VB30200C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

VB30200C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

VB30200C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

VB30200C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

VB30200C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A

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VISHAYVishay Siliconix

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VB30200C-E3/4W

肖特基二极管与整流器 30 Amp 200 Volt

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

VB30200C-E3/4W

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO263 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

ETC

知名厂家

VB30200C-E3/8W

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO263 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

ETC

知名厂家

VB30200C-E3/8W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A

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VISHAYVishay Siliconix

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VB30200C-E3-4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

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VB30200C-E3-8W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

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VB30200C-E3SLASH4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A

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VISHAYVishay Siliconix

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VB30200C-E3SLASH8W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

MBR30200CT

30 Amp HT Power Schottky Barrier Rectifier 100 Volts to 200 Volts

[LTO-DMS Semiconductor Corporation] Features * High Junction Temperature Capability * Low Leakage Current and Low Forward Voltage Drop * Low Power Loss and High Efficiency

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

MT30200

PHOTO TRIAC COUPLER?

PHOTO TRIAC COUPLER APPLICATIONS ● OFFICE MACHINERY ● HOUSEHOLD APPLIANCES ● TRIAC DRIVER ● SOLID STATE RELAY ● TELECOMMUNICATIONS ● FACSIMILE ● LAMP & RELAY DRIVE CIRCUIT

MARKTECH

SBR30200CT

30A SBR Super Barrier Rectifier

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DIODES

美台半导体

SBR30200CTFP

30A SBR짰 SUPER BARRIER RECTIFIER

文件：182.51 Kbytes Page：3 Pages

DIODES

美台半导体

SBR30200CTFP

30A SBR Super Barrier Rectifier

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DIODES

美台半导体

VB30200C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VB30200C

  • 制造商

    VISHAY

  • 制造商全称

    Vishay Siliconix

  • 功能描述

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VB30200C供应商更多...

更新时间：2026-8-2 16:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市壹芯创科技有限公司
VB30200C-E3/8W
VISHAY
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深圳市海天鸿电子科技有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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深圳市宇创芯科技有限公司
VB30200C-E3/8W
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
VB3,2/2/12
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