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HIGH VOLTAGE, HIGH CURRENT, FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER DIODES HIGH VOLTAGE, HIGH CURRENT, FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER DIODES ● Up to 250 ns max. recovery ● Small size ● Exceptionally low leakage ● Avalanche characteristics | edi |   | ||
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Precision Fixed Attenuator 文件：186.1 Kbytes Page：1 Pages | MINI | |
更新时间：2025-10-18 11:10:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VBE2104N,TO-252,P-Channel 100 V (D-S) MOSFET
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2021-6-17V962PBC-33LP
二三极管、连接器、模块、光耦、电容电阻、单片机、处理器、晶振、传感 器、逻辑芯片、电源芯片、放大器、
2019-3-12
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