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V6K100DU-M3SLASHI | High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.44 V at IF = 1.5 A • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive ordering code: base P/NHM3 | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |   | |
High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.44 V at IF = 1.5 A • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive ordering code: base P/NHM3 | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：137.53 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY(威世) |
24+ |
FlatPAK(5x6) |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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Vishay General Semiconductor - |
25+ |
8-PowerTDFN |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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24+ |
N/A |
46000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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VISHAY |
1809+ |
PAK |
3675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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V60DM100C-M3/I
2021-11-26V7-6B19D8
V7-6B19D8，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-9V4555
类型 衬垫 形状 圆形 应用 通用 - 轴向，径向 材料 聚丙烯 颜色 - 特性 - 长度 - 宽度 - 高度 0.098（2.49mm） 直径 - 外部 0.362（9.20mm） 直径 - 内部 0.200（5.08mm）
2020-12-15V962PBC-33LP
二三极管、连接器、模块、光耦、电容电阻、单片机、处理器、晶振、传感 器、逻辑芯片、电源芯片、放大器、
2019-3-12
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