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V60M120C-M3SLASH4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

• Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

更新时间:2025-8-11 10:01:00
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