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V60200PGW_V01

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definit

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

更新时间:2025-8-17 16:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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Vishay Semiconductor Diodes Di
22+
TO3PW
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