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位置：首页 > IC中文资料第10546页 > V60100C

V60100C价格

参考价格：￥8.2952

型号：V60100C-E3/4W 品牌：Vishay 备注：这里有V60100C多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，V60100C批发/采购报价，V60100C行情走势销售排行榜，V60100C报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
V60100C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

V60100C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A

分立 Trench MOS Schottky t echnology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

V60100C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

V60100C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

V60100C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

V60100C_V01

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in

VISHAYVishay Siliconix

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V60100C-E3

Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

VISHAYVishay Siliconix

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V60100C_08

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

V60100C_09

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

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V60100C_12

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

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V60100C_15

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

V60100C_15

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

V60100C-E3/45

封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

ETC

知名厂家

V60100C-E3/4W

封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

ETC

知名厂家

V60100C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

V60100C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

V60100C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

V60100C-E3SLASH4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

V60100C-E3SLASH4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

V60100C-E3SLASH4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

V60100C-M3

Trench MOS Schottky technology

文件：136.51 Kbytes Page：4 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

V60100C-M3-4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

FST60100

Schottky PowerMod

● Schottky barrier rectifier ● Guard ring for reverse protection ● VRRM - 80 to 100 Volts ● High surge capacity ● Reverse energy tested ● Electrically isolated baseplate ● ROHS Compliant

MICROSEMI

美高森美

SBR60100

60 Amp Schottky Rectifier

60 Amp Schottky Rectifier ● Schottky barrier rectifier ● Hermetic packaging ● Guard ring protected ● Reverse Energy Tested ● 175°C junction temperature ● VRRM - 90 to 100 Volts

MICROSEMI

美高森美

ST60100

Silicon Dual Power Rectifier

Silicon Dual Power Rectifier ● Glass passivated die ● Glass to metal seal construction ● VRRM 200 to 1000V ● 400 A Surge Rating ● Available as common anode, common cathode, or doubleer

MICROSEMI

美高森美

TPS60100

REGULATED 3.3 V 200-mA LOW-NOISE CHARGE PUMP DC/DC CONVERTER

文件：348.59 Kbytes Page：22 Pages

TI

德州仪器

TPS60100PWP

REGULATED 3.3 V 200-mA LOW-NOISE CHARGE PUMP DC/DC CONVERTER

文件：348.59 Kbytes Page：22 Pages

TI

德州仪器

V60100C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    V60100C

  • 制造商

    VISHAY

  • 制造商全称

    Vishay Siliconix

  • 功能描述

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

V60100C供应商更多...

更新时间：2026-8-4 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市纳艾斯科技有限公司
V60100C
VISHAY
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中天科工半导体（深圳）有限公司
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深圳市恒创达实业有限公司
V60100C-E3/4W
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    进口代理

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    V42254-B2240-M780

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    V60DM100C-M3/I

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  • V7-6B19D8

    V7-6B19D8，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.

    2021-2-9

  • V4555

    类型 衬垫 形状 圆形 应用 通用 - 轴向，径向 材料 聚丙烯 颜色 - 特性 - 长度 - 宽度 - 高度 0.098（2.49mm） 直径 - 外部 0.362（9.20mm） 直径 - 内部 0.200（5.08mm）

    2020-12-15

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