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V601价格

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型号：V60100C-E3/4W 品牌：Vishay 备注：这里有V601多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，V601批发/采购报价，V601行情走势销售排行榜，V601报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
V60100C	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60100C_V01	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60120C	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60120C_V01	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60170G-M3	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60170G-M3_V01	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60170PW-M3	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60170PW-M3_V01	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60100C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：146.76 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60100C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：133.06 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60100C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：149.29 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60100C_08	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A 文件：150.74 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60100C_09	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：133.06 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60100C_12	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：146.76 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60100C_15	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：142.69 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60100C_15	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：121.76 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60100C-E3/45	封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列	ETC 知名厂家	ETC
V60100C-E3/4W	封装/外壳：TO-220-3 包装：管件描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列	ETC 知名厂家	ETC
V60100C-E3/4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：146.76 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60100C-E3/4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A 文件：150.74 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60100C-E3/4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：149.29 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60100C-E3SLASH4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：149.29 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60100C-E3SLASH4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A 文件：150.74 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60100C-E3SLASH4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：146.76 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60100C-M3	Trench MOS Schottky technology 文件：136.51 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60100C-M3-4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：133.06 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60100P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.456 V at IF = 10 A 文件：107.35 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60100P_15	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：90.58 Kbytes Page：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60100P-E3/45	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.456 V at IF = 10 A 文件：107.35 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60100P-E3SLASH45	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.456 V at IF = 10 A 文件：107.35 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60100PW	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：83.71 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60100PW_15	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：88.19 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60100PW-M3-4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：83.71 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60120C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A 文件：142.28 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60120C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：134.37 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60120C_11	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：134.37 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60120C_15	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：134.89 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60120C_15	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：141.39 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60120C-E3/4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A 文件：142.28 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60120C-E3-4W	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：141.39 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60120C-E3SLASH4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A 文件：142.28 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60120CHM3-4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：134.37 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60120C-M3-4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：134.37 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60170G-M3	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：124.59 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60170G-M3_15	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：122.05 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60170PW	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：92.58 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60170PW-M3	High efficiency operation 文件：94.16 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V60170PW-M3_15	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：84.14 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
601	Fast Ethernet Cat5e Data Double-Ended Cordset Product Description Fast Ethernet Cat5e Data Double-Ended Cordset: Male straight D-coded black M12 Standard to male straight D-coded black M12 Standard, shielded, 50 V AC / 60 V DC, 4 A; PUR green cable, 4-wires, 2x2x0.34 mm²	BELDEN 百通	BELDEN
601	MINIATURE FUSEHOLDERS 文件：99.69 Kbytes Page：1 Pages	Littelfuse 力特	Littelfuse
601	RC Network T-Filters 文件：231.56 Kbytes Page：2 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns
601	Wiha Quality Tools Toll Free: (800) 494-6104 文件：206.89 Kbytes Page：1 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
601	Optically Isolated 5 and 10A/250 Vac 文件：481.9 Kbytes Page：2 Pages	WILLOWWillow Technologies Ltd 柳树科技柳树科技有限公司	WILLOW

V601产品属性

类型
描述
型号
V601
功能描述
罩类、盒类及壳类产品 14x6-1/4x2-1/2(1.617cf)1 Comprtmnt
RoHS
否
制造商
Bud Industries
产品
Boxes
外部深度
6.35 mm
外部宽度
6.35 mm
外部高度
2.56 mm NEMA
额定值
IP
材料
Acrylonitrile Butadiene Styrene(ABS)
颜色
Red

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更新时间：2025-8-17 10:20:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	V60120C-E3/45	Vishay/GeneralSemiconduc	24+	TO-220AB	934		询价
深圳市达恩科技有限公司	V60120C-E3/4W	Vishay	24+	NA	3000	进口原装正品优势供应	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	V60120C-M3/4W		24+	N/A	82000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	V60120C	VISHAY原装	24+	TO-220	30980	原装现货/放心购买	询价
深圳市创新迹电子有限公司	V60120C	VISHAY	22+	TO-220	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	V60120C	VISHAY/威世	23+	TO-220	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	V60120C	VISHAY	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市粤科源兴科技有限公司	V60120C-E3/4W	DISCRETE	1000	GS	2000		询价
深圳市金芯阳科技有限公司	V60120C-E3/4W	VISHAY	15+	原厂原装	2000	进口原装现货假一赔十	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	V60120C-E3/4W	Vishay(威世)	24+	NA/	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价

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进口代理
2022-9-22
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2022-6-16
V60DM100C-M3/I
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2021-11-26
V7-6B19D8
V7-6B19D8，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-9
V4555
类型衬垫形状圆形应用通用 - 轴向，径向材料聚丙烯颜色 - 特性 - 长度 - 宽度 - 高度 0.098（2.49mm）直径 - 外部 0.362（9.20mm）直径 - 内部 0.200（5.08mm）
2020-12-15

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