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V601价格

参考价格：￥8.2952

型号：V60100C-E3/4W 品牌：Vishay 备注：这里有V601多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，V601批发/采购报价，V601行情走势销售排行榜，V601报价。

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
V60100C	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60100C_V01	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60100C-E3	Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60100P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Solder dip 260 °C, 40 s • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC TYPICAL APPLICATIONS For use in high frequency inverters,	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60100PW	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.47 V at IF = 10 A 分立 ·Trench MOS Schottky technology\n·Low forward voltage drop, low power losses\n·High efficiency operation;	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60120C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A 分立 Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60120C	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60120C_V01	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60170G-M3	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60170G-M3_V01	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60170PW-M3	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60170PW-M3_V01	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60100C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：146.76 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60100C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：133.06 Kbytes Page：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60100C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：149.29 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60100C_08	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A 文件：150.74 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60100C_09	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：133.06 Kbytes Page：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60100C_12	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：146.76 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60100C_15	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：142.69 Kbytes Page：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60100C_15	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：121.76 Kbytes Page：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60100C-E3/4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：146.76 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60100C-E3/4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A 文件：150.74 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60100C-E3/4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：149.29 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60100C-E3/4W	封装/外壳：TO-220-3 包装：管件描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列	ETC 知名厂家	ETC
V60100C-E3SLASH4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：149.29 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60100C-E3SLASH4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A 文件：150.74 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60100C-E3SLASH4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：146.76 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60100C-M3	Trench MOS Schottky technology 文件：136.51 Kbytes Page：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60100C-M3-4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：133.06 Kbytes Page：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60100P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.456 V at IF = 10 A 文件：107.35 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60100P_15	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：90.58 Kbytes Page：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60100P-E3/45	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.456 V at IF = 10 A 文件：107.35 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60100P-E3SLASH45	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.456 V at IF = 10 A 文件：107.35 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60100PW	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：83.71 Kbytes Page：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60100PW_15	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：88.19 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60100PW-M3-4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：83.71 Kbytes Page：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60120C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A 文件：142.28 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60120C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：134.37 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60120C_11	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：134.37 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60120C_15	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：141.39 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60120C_15	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：134.89 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60120C-E3/4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A 文件：142.28 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60120C-E3/4W	封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO220 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列	ETC 知名厂家	ETC
V60120C-E3-4W	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：141.39 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60120C-E3SLASH4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A 文件：142.28 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60120CHM3-4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：134.37 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60120C-M3-4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：134.37 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60170G-M3	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：124.59 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60170G-M3_15	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：122.05 Kbytes Page：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60170PW	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：92.58 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60170PW-M3	High efficiency operation 文件：94.16 Kbytes Page：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V60170PW-M3_15	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：84.14 Kbytes Page：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
CP601	VOLTAGE 50 to 1000 Volts CURRENT - P.C. MTG 3A , HEAT-SINK MTG 6A VOLTAGE 50 to 1000 Volts CURRENT - P.C. MTG 3A , HEAT-SINK MTG 6A FEATURES • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O. • Surge Overload Ratings to 125 Amperes. • Low forward voltage, and reverse leakage. • Small size , simple installation.	PANJIT 強茂	PANJIT
NTE601	Silicon Varistor Temperature Compensating Diode Features: ● High reliability planar chip and glass sealing ● Low IR ● Large PD	NTE	NTE
PG601R	GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST SWITCHING RECTIFIER(VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 6.0 Amperes) VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 6.0 Amperes FEATURES ● Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O Utilizing Flame Retardant Epoxy Molding Compound ● Glass passivated junction in P600 package ● 6 ampere operation at TA=60 ¢J with no thermal runaway ● Exce	PANJIT 強茂	PANJIT
PS601R	FAST SWITCHING RECOVERY RECTIFIER(VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 6.0 Amperes) FEATURES ● Low cost ● Diffused junction ● Low forward voltage drop ● High current capability Fast switching for high efficiency ● The plastic meterial carries U/L recognition 94V-O ● Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228	PANJIT 強茂	PANJIT
UF601	ULTRAFAST SWITCHING RECTIFIER(VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 6.0 Amperes) VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 6.0 Amperes FEATURES ● Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O utilizing Flame Retardant Epoxy Molding Compound ● Void-free Plastic in P600 package ● 6.0 ampere operation at TA=55 ¢J with no thermal runaway ● Ex	PANJIT 強茂	PANJIT

V601产品属性

类型
描述
型号
V601
功能描述
罩类、盒类及壳类产品 14x6-1/4x2-1/2(1.617cf)1 Comprtmnt
RoHS
否
制造商
Bud Industries
产品
Boxes
外部深度
6.35 mm
外部宽度
6.35 mm
外部高度
2.56 mm NEMA
额定值
IP
材料
Acrylonitrile Butadiene Styrene(ABS)
颜色
Red

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更新时间：2026-8-3 18:11:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威雅利发展有限公司	V60120C	VISHAY	08+	TO-220	9	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	V60120CHM3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Di	22+	TO220AB	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市达恩科技有限公司	V60120C-E3/4W	Vishay	24+	NA	3000	进口原装正品优势供应	询价
深圳市亿联芯电子科技有限公司	V60120C-E3/4W	VISHAY/威世	26+	TO-220	1550	专注全新正品,优势现货供应	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	V60120C	VISHAY原装	25+23+	TO-220	23201	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	V60120CHM3/4W	Vishay General Semiconductor -	25+	TO-220-3	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市一线半导体有限公司	V60120C-E3/45	Vishay/GeneralSemiconduc	24+	TO-220AB	934		询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	V60120C	VISHAY原装	24+	TO-220	30980	原装现货/放心购买	询价
深圳市科翼源电子有限公司	V60120C-E3/4W	VISHAY	23+	TO-220	4050	原厂原装正品	询价
深圳市明盛嘉电子科技有限公司	V60120C-E3/4W	VISHAY/威世	26+	TO-220	43600	全新原装现货,假一赔十	询价

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进口代理
2022-9-22
V42254-B2240-M780
V42254-B2240-M780
2022-6-16
V60DM100C-M3/I
V60DM100C-M3/I
2021-11-26
V7-6B19D8
V7-6B19D8，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-9
V4555
类型衬垫形状圆形应用通用 - 轴向，径向材料聚丙烯颜色 - 特性 - 长度 - 宽度 - 高度 0.098（2.49mm）直径 - 外部 0.362（9.20mm）直径 - 内部 0.200（5.08mm）
2020-12-15

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