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V40M150C-M3

Trench MOS Schottky technology

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威世科技威世科技半导体

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A

• Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

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封装/外壳:TO-220-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:DIODE SCHOTTKY 150V TO220 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

ETC

知名厂家

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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更新时间:2025-8-7 13:43:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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