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V35DM120HM3SLASHI

Dual High-Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

• Trench MOS Schottky technology generation 2 • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available

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Ideal for automated placement

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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更新时间:2025-9-23 11:10:00
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