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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
V30120S-E3 | High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |   | |
V30120S-E3 | High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：731.92 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO220AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO220AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 文件：165.91 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.9 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：161.43 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：726.92 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
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High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 文件：165.91 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
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High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
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V30120S-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
V30120S-E3
- 功能描述
DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-220AB
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
- 系列
TMBS®
- 标准包装
100
- 系列
-
- 二极管类型
标准 电压
- -(Vr)（最大）
50V 电流 -
- 平均整流(Io)
6A 电压 - 在 If
- 时为正向(Vf)（最大）
1.4V @ 6A
- 速度
快速恢复 = 200mA（Io）
- 反向恢复时间(trr)
300ns 电流 - 在 Vr
- 时反向漏电
15µA @ 50V 电容@ Vr,
- F
-
- 安装类型
底座，接线柱安装
- 封装/外壳
DO-203AA，DO-4，接线柱
- 供应商设备封装
DO-203AA
- 包装
散装
- 其它名称
*1N3879
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
24+ |
TO220 |
8000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
VIS |
25+ |
TO-TO-220 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
VIS |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
VISHAY/威世 |
25+ |
TO-220 |
32000 |
VISHAY/威世全新特价V30120S-E3/45即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
VISHAY |
18+ |
TO-263 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
VISHAY |
21+ |
TO-220 |
11960 |
原装现货假一赔十 |
|||
VISHAY |
23+ |
TO220 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
13745 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
VISHAY |
1822+ |
TO-220 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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- V30150C
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