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V20E40P

径向引线型压敏电阻

Littelfuse产品并非为相关Littelfuse产品文件中明确说明的用途以外的其他用途而设计,也不应被用于这些用途(包括但不限于汽车、军事、航空航天、医疗、救生、维生或核设施应用、用于手术植入体内的装置、或者在产品故障或运行无法达到理想状态的情况下会造成人身伤害、死亡或财产损失的任何其他应用)。 如果将产品用于相关Littelfuse文件中未明确说明的任何其他用途,则产品不享受Littelfuse质保。 如果将产品用于相关Littelfuse文件中未明确说明的其他用途,则Littelfuse不会为因此造成的任何索赔或损失承担责任。 除非经Littelfuse另行许可,否则Littelfu • 低压压敏电阻设计的突破可提供高峰值浪涌电流额定值\n• 减少浪涌保护所需的空间和批量\n•高峰值浪涌电流额定值可达8KA(8/20 μs脉冲) \n•宽工作电压范围VM(AC)RMS 11V至40V和V M(DC) 14V至56V \n• 高达125ºC的工作温度范围\n•可提供5型号规格: 5、7、10、14和20mm \n• 标准引线方式选择\n• 可选苯酚涂层\n• 无铅、无卤素且符合RoHS标准;

LITTELFUSE

力特

V20E40P

Reduced footprint and volume required for surge protection

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LITTELFUSE

力特

V20E40P

封装/外壳:圆片式 20mm 包装:散装 描述:VARISTOR 68V 8KA DISC 20MM 电路保护 TVS - 压敏电阻,MOV

LITTELFUSE

力特

封装/外壳:圆片式 20mm 包装:卷带(TR) 描述:RADIAL VARISTOR 20MM 电路保护 TVS - 压敏电阻,MOV

LITTELFUSE

力特

DUAL SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

Description and Applications This Schottky Barrier Diode is designed for low forward voltage drop and very low reverse leakage current. It is ideally suited to use as: • Polarity Protection Diode • Re-Circulating Diode • Switching Diode Features • Very Low Forward Voltage Drop • Common Cath

DIODES

美台半导体

DUAL SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

Features • Low Forward Voltage Drop • Common Cathode Configuration • Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) • Green Device, (Note 4 and 5)

DIODES

美台半导体

DUAL SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

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美台半导体

DUAL SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

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DIODES

美台半导体

V20E40P产品属性

  • 类型

    描述

  • Max Rated DC Voltage:

    56

  • Surge Energy (WTM) (J):

    140

  • Peak Pulse Current (ITM) 1xAmps (A):

    8000

  • Nominal DC Voltage (VNDC) (V):

    68

  • VNDC MIN (V):

    74.8

  • VNDC MAX (V):

    61.2

  • Max Clamp Voltage (Vc) (V):

    135

  • Clamp Polarity:

    Bi-directional

更新时间:2026-5-21 11:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
26+
N/A
46000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择

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