位置：首页 > IC中文资料 > V20100C-E3_V01
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
V20100C-E3_V01 | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C maximum 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   |
更新时间：2025-10-20 8:22:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
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VISHAY/威世 |
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TO-220 |
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明嘉莱只做原装正品现货 |
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VISHAY |
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VISHAY/威世 |
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代理渠道/只做原装/可含税 |
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VISHAY/威世 |
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TO-220 |
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实实在在-只做原装正品 |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
09+ |
TO-220 |
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VISHAY原装 |
25+23+ |
TO-220 |
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VISHAY |
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VISHAY |
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原装进口公司现货假一赔百 |
V20100C-E3_V01规格书下载地址
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