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UT2321G-AE3-R中文资料

厂家型号

UT2321G-AE3-R

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4

功能描述

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

UTC

UT2321G-AE3-R数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The UT2321 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.

FEATURES

* RDS(ON) ≤ 55mΩ @ VGS=-4.5V, ID=-2.4A

* RDS(ON) ≤ 80mΩ @ VGS=-2.5V, ID=-2.0A

* Low capacitance

* Low gate charge

* Fast switching capability

* Avalanche energy specified

UT2321G-AE3-R产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UT2321G-AE3-R

  • 制造商

    UTC-IC

  • 制造商全称

    UTC-IC

  • 功能描述

    P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

更新时间:2025-8-6 19:29:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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