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MMDT5551L-AL6-R中文资料
MMDT5551L-AL6-R数据手册规格书PDF详情
DESCRIPTION
The UTC MMDT5551 is a high voltage fast-switching dual NPN transistor. It is characterized with high breakdown voltage, high current gain and high switching speed.
FEATURES
* High Collector-Emitter Voltage: VCEO=160V
* High current gain
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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YANGJIE |
24+ |
SOT-363 |
50000 |
原厂直销全新原装正品现货 欢迎选购 |
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PJSEMI |
24+ |
con |
35960 |
查现货到京北通宇商城 |
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PJSEMI(平晶微) |
23+ |
SOT-23-6 |
500 |
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT) |
|||
NK/南科功率 |
23+ |
SOT-23-6 |
360000 |
交期准时服务周到 |
|||
CJ |
21+ |
N/A |
2500 |
进口原装,优势现货 |
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CJ |
Apr-21 |
con |
2670 |
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格 |
|||
CJ |
24+ |
con |
2670 |
优势库存,原装正品 |
|||
MCC |
23+ |
SOT-363 |
7750 |
全新原装优势 |
|||
MCC(美微科) |
2447 |
SOT-363 |
105000 |
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
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MICRO |
1809+ |
SOT-363 |
3675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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Datasheet数据表PDF页码索引
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Unisonic Technologies 友顺科技股份有限公司
UTC集团成立于1990年,专注致力于模拟IC及离散式组件Discrete 研发、设计、制造、封装、测试及营销业务。 为提供客户完整的解决方案及具价格竞争优势,公司经营策略采IDM资源垂直整合,期望能给予客户最佳选择,并创造客户最大之经济效益。 IDM采取主动的方式,从产品的研发、设计、制造、封装、测试到品牌营销, 在每一个关键点都充分掌握其自主的能力,以达到产能保障及技术自主,充分展现企业竞争力。 UTC具有完整模拟组件产品线,产品以类比IC为主(涵盖电源管理、电源驱动、运算放大器、比较器、数字功放、 逻辑IC等), 分立器件为主(涵盖低压MOS管 、高压MOS管、超结MOS、IGBT单