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2N7002DW中文资料

厂家型号

2N7002DW

文件大小

306.81Kbytes

页面数量

6

功能描述

300m Amps, 60 Volts DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET

MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect

数据手册

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生产厂商

Unisonic Technologies

简称

UTC友顺

中文名称

友顺科技股份有限公司官网

LOGO

2N7002DW数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The UTC 2N7002DW uses advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.

FEATURES

* High Density Cell Design for Low RDS(ON)

* Voltage Controlled Small Signal Switch

* Rugged and Reliable

* High Saturation Current Capability

2N7002DW产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N7002DW

  • 功能描述

    MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-5-19 23:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
24+
标准封装
7368
全新原装正品/价格优惠/质量保障
FAIRCHILD/仙童
25+
SOT363
154708
明嘉莱只做原装正品现货
DIODES/美台
24+
SOT-363
45000
热卖优势现货
DIODES/美台
24+
SOT-363
30000
只做正品原装现货
DIODES
16+
4594
原装正品供应B
INFINEON/英飞凌
24+
SOT363
18126
原装进口假一罚十
DIODES/美台
24+
N/P
16500
代理授权直销,原装现货,假一罚十,长期稳定供应
DIODES
21+
SOT363
99000
十年信誉,只做原装,有挂就有现货!
GMC
24+
SOT-363
339000
只做原厂渠道 可追溯货源
DIODES/美台
19+/20+
SOT-363
8301

2N7002DW-TP 价格

参考价格:¥0.3653

型号:2N7002DW-TP 品牌:MICRO 备注:这里有2N7002DW多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2N7002DW批发/采购报价,2N7002DW行情走势销售排排榜,2N7002DW报价。

UTC相关电路图

  • V3
  • Vacuumschmelze
  • VAISALA
  • VAISH
  • VANLONG
  • VARITRONIX
  • VAT
  • VATRONICS
  • VBSEMI
  • VCC
  • VECOW
  • VECTOR

Unisonic Technologies 友顺科技股份有限公司

中文资料: 43983条

UTC集团成立于1990年,专注致力于模拟IC及离散式组件Discrete 研发、设计、制造、封装、测试及营销业务。 为提供客户完整的解决方案及具价格竞争优势,公司经营策略采IDM资源垂直整合,期望能给予客户最佳选择,并创造客户最大之经济效益。 IDM采取主动的方式,从产品的研发、设计、制造、封装、测试到品牌营销, 在每一个关键点都充分掌握其自主的能力,以达到产能保障及技术自主,充分展现企业竞争力。 UTC具有完整模拟组件产品线,产品以类比IC为主(涵盖电源管理、电源驱动、运算放大器、比较器、数字功放、 逻辑IC等), 分立器件为主(涵盖低压MOS管 、高压MOS管、超结MOS、IGBT单