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2N120-E4中文资料

厂家型号

2N120-E4

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665.36Kbytes

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8

功能描述

2.0A, 1200V N-CHANNEL POWER MOSFET

数据手册

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生产厂商

UTC

2N120-E4数据手册规格书PDF详情

 DESCRIPTION

The UTC 2N120-E4 provide excellent RDS(ON), low gate

charge and operation with low gate voltages. This device is

suitable for use as a load switch or in PWM applications.

 FEATURES0

* RDS(ON) ≤ 10 Ω @ VGS=10V, ID=1.0A

* Low Reverse Transfer Capacitance

* Fast Switching Capability

* Avalanche Energy Specified

* Improved dv/dt Capability, High Ruggedness

更新时间:2025-12-15 13:31:00
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