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1N60P中文资料

厂家型号

1N60P

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274.99Kbytes

页面数量

6

功能描述

1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

Schottky Barrier Diode

数据手册

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简称

UTC友顺

生产厂商

Unisonic Technologies

中文名称

友顺科技股份有限公司官网

LOGO

1N60P数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The UTC 1N60P is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and a high rugged avalanche characteristic. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications of power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.

FEATURES

* RDS(ON) =11.5Ω@VGS = 10V.

* Ultra Low gate charge (typical 5.0nC)

* Low reverse transfer capacitance (CRSS = typical 3.0 pF)

* Fast switching capability

* Avalanche energy specified

* Improved dv/dt capability, high ruggedness

1N60P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    1N60P

  • 制造商

    FORMOSA

  • 制造商全称

    Formosa MS

  • 功能描述

    Schottky Barrier Diode

更新时间:2025-6-14 14:11:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(先科)
24+
SOD-123
10000
只做原装现货 假一赔万
ST(先科)
24+
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SZXYL/MIC
22+
DO-35
500000
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ST
20+
SMD-1206
20
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

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Unisonic Technologies 友顺科技股份有限公司

中文资料: 44002条

UTC集团成立于1990年,专注致力于模拟IC及离散式组件Discrete 研发、设计、制造、封装、测试及营销业务。 为提供客户完整的解决方案及具价格竞争优势,公司经营策略采IDM资源垂直整合,期望能给予客户最佳选择,并创造客户最大之经济效益。 IDM采取主动的方式,从产品的研发、设计、制造、封装、测试到品牌营销, 在每一个关键点都充分掌握其自主的能力,以达到产能保障及技术自主,充分展现企业竞争力。 UTC具有完整模拟组件产品线,产品以类比IC为主(涵盖电源管理、电源驱动、运算放大器、比较器、数字功放、 逻辑IC等), 分立器件为主(涵盖低压MOS管 、高压MOS管、超结MOS、IGBT单