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UN600DN36TE中文资料

厂家型号

UN600DN36TE

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3878.15Kbytes

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7

功能描述

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

数据手册

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生产厂商

UNSEMI

UN600DN36TE数据手册规格书PDF详情

Feature

Advanced Trench Process Technology

Fast Switching Speed

Low Threshold Voltage

ESD Protected up to 2KV (HBM)

Halogen-Free & Lead-Free

Applications

Load Switch for Portable Devices

Voltage controlled small signal switch

更新时间:2025-11-3 14:01:00
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