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厂家型号	FDS6670
文件大小	423.79Kbytes
页面数量	6页
功能描述	100V N-Channel MOSFET MOSFET SO-8 N-CH 30V
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	UMW

Features

Shielded Gate MOSFET Technology

HBM ESD protection level > 6 kV typical (Note 4)

High performance trench technology for extremely low RDS(on)

High power and current handling capability in a widely used

surface mount package

VDS =100V

ID(at VGS=10V)4.2A

RDS(ON) (at VGS=10V) < 104mΩ

RDS(ON)(at VGS = 4.5V) < 156mΩ

FDS6670供应商...

更新时间：2025-10-10 16:04:00

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参考价格：￥2.6123

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