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UT4430G-S08-R

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The UT4430 uses UTC advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for applications, such as high-side DC/DC conversion, notebook and sever. FEATURES * VDS(V)=30V * ID=18A (VGS = 10V) * RDS(ON)

UTC

友顺

UT4430G-S08-R

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Notebook CPU Core - High-Side Switch

VBSEMI

微碧半导体

UT4430G-S08-R

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:264.38 Kbytes Page:5 Pages

UTC

友顺

更新时间:2025-8-24 14:35:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
UTC
2016+
SOP8
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只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
UTC/友顺
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