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UT3406G-AE3-R

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The UT3406 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and can be operated at low gate voltages. This device is perfect fit for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON) ≤ 65 mΩ @ VGS=10V, ID=3.6A * RDS(ON) ≤ 105 mΩ @ VGS=4.5V

UTC

友顺

UT3406G-AE3-R

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-11-17 23:00:00
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