型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
UPD44165084BF5-E40-EQ3

18M-BIT QDRTM II SRAM 4-WORD BURST OPERATION

Features • 1.8 ± 0.1 V power supply • 165-pin PLASTIC BGA (13 x 15) • HSTL interface • PLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling • Separate independent read and write data ports with concurrent transactions • 100 bus utilization DDR READ and WRITE operation

RENESAS

瑞萨

UPD44165084BF5-E40-EQ3

Memory-QDRII/DDRII/ QDRII+/DDRII+ SRAM

RENESAS

瑞萨

18M-BIT QDRTM II SRAM 4-WORD BURST OPERATION

Features • 1.8 ± 0.1 V power supply • 165-pin PLASTIC BGA (13 x 15) • HSTL interface • PLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling • Separate independent read and write data ports with concurrent transactions • 100 bus utilization DDR READ and WRITE operation

RENESAS

瑞萨

Memory-QDRII/DDRII/ QDRII+/DDRII+ SRAM

RENESAS

瑞萨

18M-BIT QDRTM II SRAM 4-WORD BURST OPERATION

文件:503.62 Kbytes Page:40 Pages

RENESAS

瑞萨

18M-BIT QDRTM II SRAM 4-WORD BURST OPERATION

文件:503.62 Kbytes Page:40 Pages

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-10-16 13:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
24+
BGA
20000
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!
NEC
2402+
BGA
8324
原装正品!实单价优!
NEC
23+
BGA
185
全新原装正品现货,支持订货
NEC
08+
BGA
30
原装现货
NEC
24+
BGA
5000
原包装进口现货假一赔十
NEC
22+
BGA
12245
现货,原厂原装假一罚十!
NEC
23+
BGA
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
REN
2447
RoHs
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
NEC
23+
BGA
24981
原装正品代理渠道价格优势
23+
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!

UPD44165084BF5-E40-EQ3数据表相关新闻

  • UPD70F3380M2GJA1-GAE-AX微控制器

    UPD70F3380M2GJA1-GAE-AX 进口代理

    2025-8-12
  • UPD30181AYF1-131-GA3-A 瑞智芯 只有原装

    深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人:彭先生 QQ:2851196982 直线:0755-82991809 手机:13787628849 邮箱:pc@szruizhixin.com 地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号:UPD30181AYF1-131-GA3-A 品牌:Renesas 包装:50 封装:BGA240

    2021-9-3
  • UPD720114GA-YEU-AT

    UPD720114GA-YEU-AT,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-11-22
  • UPD720114GA-9EU-A

    UPD720114GA-9EU-A,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-11-22
  • UPD16818GR-8JG-步进电机控制器/驱动器

    描述 该mPD16818是单片双H桥驱动器集成电路,它使用其输出级N沟道功率MOS场效应管。通过雇用输出级的功率MOS场效应晶体管,该驱动电路的电压和饱和度大幅提高功耗比传统的驱动电路,使用双极晶体管。此外,驱动电流可以调节,在节电模式下使用外部电阻器。因此,该mPD16818作为一个两相励磁驱动电路的理想,双极步进电机驱动头执行器的一个FDD。 特征 •兼容电源电压3V-/5V- •引脚兼容与mPD16803 •低(顶部和底部的ON电阻马鞍山FET的总和)ON电阻 R

    2013-2-5
  • UPD16813-整体式双H桥驱动器电路

    描述 该mPD16813是单片双H桥驱动电路,在它的驱动级功率MOS场效应管。通过补充P通道和N通道的输出级,电路电流大幅inproved相对于传统电荷泵驱动程序。该mPD16813因此作为2相励磁驱动电路的理想,双极步进电机驱动头部的一个FDD驱动器。 特征 •低(顶部和底部的ON电阻晶体管的总和)ON电阻RON的典型值=2.0瓦特。 •低电流消耗:国际直拨电话= 100 mA最大。 •降噪电路,操作时INC已关闭。 •小型表面贴装封装:16引脚SOP的塑

    2013-2-5