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UPC8182TB-E3

3 V, 2.9 GHz SILICON MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER FOR MOBILE COMMUNICATIONS

DESCRIPTION The µPC8182TB is a silicon monolithic integrated circuit designed as amplifier for mobile communications. This IC operates at 3 V. The medium output power is suitable for RF-TX of mobile communications system. FEATURES • Supply voltage: VCC = 2.7 to 3.3 V • Circuit current: ICC = 3

NEC

瑞萨

UPC8182TB-E3

BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES • Supply voltage : VCC = 2.7 to 3.3 V • Circuit current : ICC = 30 mA TYP. @ VCC = 3.0 V • Medium output power : PO(1dB) = +9.5 dBm TYP. @ f = 0.9 GHz PO(1dB) = +9.0 dBm TYP. @ f = 1.9 GHz PO(1dB) = +8.0 dBm TYP. @ f = 2.4 GHz • Power gain : GP = 21.5 dB TYP. @ f = 0.9 GHz GP = 20.

RENESAS

瑞萨

UPC8182TB-E3

3 V, 2.9 GHz SILICON MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER FOR MOBILE COMMUNICATIONS

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NEC

瑞萨

3 V, 2.9 GHz SILICON MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER FOR MOBILE COMMUNICATIONS

DESCRIPTION The µPC8182TB is a silicon monolithic integrated circuit designed as amplifier for mobile communications. This IC operates at 3 V. The medium output power is suitable for RF-TX of mobile communications system. FEATURES • Supply voltage: VCC = 2.7 to 3.3 V • Circuit current: ICC = 3

NEC

瑞萨

UPC8182TB-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPC8182TB-E3

  • 制造商

    California Eastern Laboratories(CEL)

  • 功能描述

    RF Amp Chip Single GP 2.9GHz 3.3V 6-Pin SOT-363 T/R

更新时间:2025-8-15 11:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
SOT-363
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
NEC
25+
SOT363
12588
原装正品,自己库存 假一罚十
NEC
23+
SOT363
8000
只做原装现货
NEC
23+
SOT363
50000
全新原装正品现货,支持订货
NEC
2023+
SOT363
50000
原装现货
NEC
25+
SOT363
860000
明嘉莱只做原装正品现货
NEC
2022+
SOT-363
30000
进口原装现货供应,原装 假一罚十
RENESAS/瑞萨
2223+
SOT-363
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
NEC
19+
SOT363
20000
900
NEC
2020+
SOT363
18180
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

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  • UPC8112TB-IC

    描述 mPC8112TB是硅单片集成电路,第一频率下转换器设计用于蜂窝/无绳电话接收阶段。该IC组成的混频器和地方放大器。 mPC8112TB功能高阻抗集电极开路输出。 mPC2757TB和mPC2758TB类似的IC可提供低阻抗射极跟随输出。这些结核病后缀及晶片,体积更小比传统T后缀集成电路的封装有助于减少您的系统的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20 GHz的FT NESAT™III硅双极工艺制造。此过程使用氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以从外部污染芯片表面保护防止腐蚀/迁移。因此,该IC具有优良的性能,均匀性和可靠性。 应用

    2012-12-14