型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

NEC
TO-220F

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

相关企业:深圳市威尔健半导体有限公司

NEC

Renesas
原厂原装

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

相关企业:深圳市海元微电科技有限公司

RENESAS

NEC
TO-220F

NECTOKIN

NEC/TOKIN

相关企业:深圳市威尔健半导体有限公司

NECTOKIN

Renesas
原厂原装

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

相关企业:深圳市海元微电科技有限公司

NEC

NEC
TO-220F

NECTOKIN

NEC/TOKIN

相关企业:深圳市威尔健半导体有限公司

NECTOKIN

Renesas
原厂原装

eneENE TECHNOLOGY INC.

迅杰科技股份有限公司

相关企业:深圳市海元微电科技有限公司

ene

Renesas
原厂原装

ES

ES Systems

相关企业:深圳市海元微电科技有限公司

ES

RENESAS(瑞萨)/IDT

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

相关企业:深圳市高捷芯城科技有限公司

IDT
更新时间:2024-6-17 17:23:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
23+
NA/
3828
原厂直销,现货供应,账期支持!
NEC
23+
TO-220F
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
NEC/RENESAS
24+23+
TO-126
12580
16年现货库存供应商终端BOM表可配单提供样品
RENESAS/瑞萨
23+
TO-220F
15000
一级代理原装现货
RENESAS
TO-220F
6798
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规
NEC
23+
TO-220F
10000
专做原装正品,假一罚百!
RENESAS(瑞萨)/IDT
23+
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
RENESAS
1733+
TO-220F
6528
只做进口原装正品假一赔十!
RENESAS/瑞萨
TO-220F
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
RENESAS/瑞萨
2048+
TO-220F
9851
只做原装正品现货!或订货假一赔十!

UPC79M15HF-1芯片相关品牌

  • ALLIED
  • DIODES
  • EATON
  • etc2
  • HARTING
  • Littelfuse
  • MERITEK
  • MOLEX1
  • NSC
  • RALTRON
  • SUMIDA
  • TEC

UPC79M15HF-1数据表相关新闻

  • UPC816G-DIP4T-TG_UTC代理商

    UPC816G-DIP4T-TG_UTC代理商

    2023-3-14
  • UPC817DG-SMD4R-TG_UTC代理商

    UPC817DG-SMD4R-TG_UTC代理商

    2023-2-3
  • UPC324G2-E2-A

    UPC324G2-E2-A

    2022-6-6
  • UPC1093-可调节精密并联稳压器

    描述该mPC1093可调精密并联稳压器的热稳定性保证。输出电压可设置之间的任何参考电压(2.495V)和36V值由两个外部电阻器。这些IC可应用于开关稳压器的误差放大器。特征•高精度•低温度系数•通过两个外部电阻调节输出电压•低动态阻抗订购信息型号封装mPC1093J3针塑料高级督察(至-92)mPC

    2013-3-13
  • UPC317-3终端正可调稳压器

    描述mPC317是正电压可调三端稳压器,其中有1.5一个输出电流能力。可以由两个外部电阻设置输出电压1.3V和30V之间的任何值。特点•超过1.5A的输出电流•芯片上的一些保护电路(过电流保护,SOA保护和热关机)。

    2013-1-9
  • UPC8112TB-IC

    描述mPC8112TB是硅单片集成电路,第一频率下转换器设计用于蜂窝/无绳电话接收阶段。该IC组成的混频器和地方放大器。mPC8112TB功能高阻抗集电极开路输出。mPC2757TB和mPC2758TB类似的IC可提供低阻抗射极跟随输出。这些结核病后缀及晶片,体积更小比传统T后缀集成电路的封装有助于减少您的系统的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20GHz的FTNESAT™III硅双极工艺制造。此过程使用氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以从外部污染芯片表面保护防止腐蚀/迁移。因此,该IC具有优良的性能,均匀性和可靠性。应用

    2012-12-14