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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

NPN Silicon RF Transistor (For general small-signal RF applications up to 300 MHz in amplifier, mixer and oscillator circuits)

NPN Silicon RF Transistor ● For general small-signal RF applications up to 300 MHz in amplifier, mixer and oscillator circuits

SIEMENS

西门子

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors • Power dissipation 250 mW • Plastic case SOT-23 • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and reeled

DIOTEC

德欧泰克

SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

VZ : 3.9 - 200 Volts PD : 3 Watts FEATURES : * Complete Voltage Range 3.9 to 200 Volts * High peak reverse power dissipation * High reliability * Low leakage current * Pb / RoHS Free

EIC

SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

VZ : 3.9 - 200 Volts PD : 3 Watts FEATURES : * Complete Voltage Range 3.9 to 200 Volts * High peak reverse power dissipation * High reliability * Low leakage current * Pb / RoHS Free

EIC

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

FEATURES * 150 Volt VCEO * 1 Amp continuous current * Ptot= 1 Watt

ZETEX

替换型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Integrated Circuit FM Multiplex Stereo Decoder

NTE

更新时间:2026-5-14 15:31:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SIEMENS
24+
SOT23
598000
原装现货假一赔十
INFINEON/英飞凌
23+
SOT-23
50000
原装正品 支持实单
INFINEO
24+
23
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
INFINEON/英飞凌
24+
SOT-23
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
恩XP
23+
SOT-23
100586
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
SIEMENS
22+
SOT23
11590
进口原装
恩XP
2025+
SOT-23
5000
原装进口价格优 请找坤融电子!
PHI
2023+
SOT-23
50000
原装现货
ADI
23+
23
8000
只做原装现货
ADI
23+
23
7000

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    描述 该mPC1093可调精密并联稳压器的热稳定性保证。输出电压可 设置之间的任何参考电压(2.495 V)和36 V值由两个外部电阻器。 这些IC可应用于开关稳压器的误差放大器。 特征 •高精度 •低温度系数 •通过两个外部电阻调节输出电压 •低动态阻抗 订购信息 型号 封装 mPC1093J 3针塑料高级督察(至- 92) mPC

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    描述 mPC317是正电压可调三端稳压器,其中有1.5一个输出电流能力。可以由两个外部电阻设置输出电压1.3 V和30 V之间的任何值。 特点 •超过1.5 A的输出电流 •芯片上的一些保护电路(过电流保护,SOA保护和热关机)。

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  • UPC8112TB-IC

    描述 mPC8112TB是硅单片集成电路,第一频率下转换器设计用于蜂窝/无绳电话接收阶段。该IC组成的混频器和地方放大器。 mPC8112TB功能高阻抗集电极开路输出。 mPC2757TB和mPC2758TB类似的IC可提供低阻抗射极跟随输出。这些结核病后缀及晶片,体积更小比传统T后缀集成电路的封装有助于减少您的系统的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20 GHz的FT NESAT™III硅双极工艺制造。此过程使用氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以从外部污染芯片表面保护防止腐蚀/迁移。因此,该IC具有优良的性能,均匀性和可靠性。 应用

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