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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
UPC3241TB-E3-A | BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Lowcurrent:ICC=19.8mATYP. •Powergain:GP=23.5dBTYP.@f=1.0GHz :GP=24.0dBTYP.@f=2.2GHz •Gainflatness:ΔGP=0.7dBTYP.@f=1.0to2.2GHz •Noisefigure:NF=4.0dBTYP.@f=1.0GHz :NF=4.3dBTYP.@f=2.2GHz •Highlinearity:PO(1dB) | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Lowcurrent:ICC=19.8mATYP. •Powergain:GP=23.5dBTYP.@f=1.0GHz :GP=24.0dBTYP.@f=2.2GHz •Gainflatness:ΔGP=0.7dBTYP.@f=1.0to2.2GHz •Noisefigure:NF=4.0dBTYP.@f=1.0GHz :NF=4.3dBTYP.@f=2.2GHz •Highlinearity:PO(1dB) | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | |
UPC3241TB-E3-A产品属性
- 类型
描述
- 型号
UPC3241TB-E3-A
- 功能描述
MMIC AMPLIFIER 6 PIN MINIMOLD
- RoHS
是
- 类别
RF/IF 和 RFID >> RF 放大器
- 系列
-
- 标准包装
3,000
- 系列
-
- 频率
100MHz ~ 6GHz
- P1dB
9.14dBm（8.2mW）
- 增益
15.7dB
- 噪音数据
1.3dB RF
- 型
CDMA，TDMA，PCS
- 电源电压
2.7 V ~ 5 V 电流 -
- 电源
60mA
- 测试频率
2GHz
- 封装/外壳
0505（1412 公制）
- 包装
带卷(TR)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
21+ |
QFN |
2000 |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
|||
NEC |
23+ |
DIP14 |
6000 |
全新原装优势 |
|||
NEC |
23+ |
DIP |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
NA |
6000 |
电子元器件供应原装现货. 优质独立分销。原厂核心渠道 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
1948+ |
SOT23-6 |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
NEC |
05/06+ |
DIP14 |
11424 |
全新原装100真实现货供应 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
标准封装 |
57598 |
一级代理原装正品现货期货均可订购 |
||||
RENESAS |
2023+ |
QFN |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
renesas |
23+ |
NA |
3436 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
NEC |
22+ |
SOP |
2987 |
绝对全新原装现货供应! |
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2023-3-14UPC324G2-E2-A
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2021-12-9UPC1093-可调节精密并联稳压器
描述该mPC1093可调精密并联稳压器的热稳定性保证。输出电压可设置之间的任何参考电压（2.495V）和36V值由两个外部电阻器。这些IC可应用于开关稳压器的误差放大器。特征•高精度•低温度系数•通过两个外部电阻调节输出电压•低动态阻抗订购信息型号封装mPC1093J3针塑料高级督察（至-92）mPC
2013-3-13UPC317-3终端正可调稳压器
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2013-1-9UPC8112TB-IC
描述mPC8112TB是硅单片集成电路，第一频率下转换器设计用于蜂窝/无绳电话接收阶段。该IC组成的混频器和地方放大器。mPC8112TB功能高阻抗集电极开路输出。mPC2757TB和mPC2758TB类似的IC可提供低阻抗射极跟随输出。这些结核病后缀及晶片，体积更小比传统T后缀集成电路的封装有助于减少您的系统的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20GHz的FTNESAT™III硅双极工艺制造。此过程使用氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以从外部污染芯片表面保护防止腐蚀/迁移。因此，该IC具有优良的性能，均匀性和可靠性。应用
2012-12-14
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