型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
UPC3228T5S

BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES • Total performance : ICC = 85 mA TYP. @ VCC = 5 V • AGC AMPLIFIER + MIXER + DRIVER BLOCK : fRF (BW) = 20 to 800 MHz : CG = 28 dB TYP. : GCR = 70 dB TYP. : IM3 = 47 dBc MIN./57 dBc TYP. @ Single Ended-OUT = 0.5 Vp-p/tone • VIDEO AMPLIFIER BLOCK : GV = 59 dB TYP. : fIF (BW) = 20 to

RENESAS

瑞萨

UPC3228T5S

LOW DISTORTION DOWN-CONVERTER AGC AMPLIFIER VIDEO AMPLIFIER

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CEL

California Eastern Labs

BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES • Total performance : ICC = 85 mA TYP. @ VCC = 5 V • AGC AMPLIFIER + MIXER + DRIVER BLOCK : fRF (BW) = 20 to 800 MHz : CG = 28 dB TYP. : GCR = 70 dB TYP. : IM3 = 47 dBc MIN./57 dBc TYP. @ Single Ended-OUT = 0.5 Vp-p/tone • VIDEO AMPLIFIER BLOCK : GV = 59 dB TYP. : fIF (BW) = 20 to

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瑞萨

BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES • Total performance : ICC = 85 mA TYP. @ VCC = 5 V • AGC AMPLIFIER + MIXER + DRIVER BLOCK : fRF (BW) = 20 to 800 MHz : CG = 28 dB TYP. : GCR = 70 dB TYP. : IM3 = 47 dBc MIN./57 dBc TYP. @ Single Ended-OUT = 0.5 Vp-p/tone • VIDEO AMPLIFIER BLOCK : GV = 59 dB TYP. : fIF (BW) = 20 to

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LOW DISTORTION DOWN-CONVERTER AGC AMPLIFIER VIDEO AMPLIFIER

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LOW DISTORTION DOWN-CONVERTER AGC AMPLIFIER VIDEO AMPLIFIER

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UPC3228T5S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPC3228T5S

  • 制造商

    CEL

  • 制造商全称

    CEL

  • 功能描述

    LOW DISTORTION DOWN-CONVERTER + AGC AMPLIFIER + VIDEO AMPLIFIER

更新时间:2025-8-16 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
2016+
QFN
6000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
NEC
24+
SSOP8
8000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
RENESAS
1233+
QFN
164
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
CEL
24+
原厂原封
1000
原装正品
NEC
24+
SOP8
880000
明嘉莱只做原装正品现货
RENESAS/瑞萨
1950+
QFN
4856
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
NEC
MSOP8
1000
原装长期供货!
24+
QFP
500
CEL
22+
8SSOP
9000
原厂渠道,现货配单
NEC
2023+
QFP
50000
原装现货

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    www.hfxcom.com

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    描述 mPC8112TB是硅单片集成电路,第一频率下转换器设计用于蜂窝/无绳电话接收阶段。该IC组成的混频器和地方放大器。 mPC8112TB功能高阻抗集电极开路输出。 mPC2757TB和mPC2758TB类似的IC可提供低阻抗射极跟随输出。这些结核病后缀及晶片,体积更小比传统T后缀集成电路的封装有助于减少您的系统的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20 GHz的FT NESAT™III硅双极工艺制造。此过程使用氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以从外部污染芯片表面保护防止腐蚀/迁移。因此,该IC具有优良的性能,均匀性和可靠性。 应用

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