位置:首页 > IC中文资料第6245页 > UPC251D
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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UPC251D | GENERALPURPOSEDUALOPERATIONALAMPLIFIERS [NEC] | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ||
Longlife,9mmdiameter,compositionelement,variableresistor 文件:68.18 Kbytes Page:2 Pages | CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司 | |||
AxialLead&CartridgeFuses 文件:864.72 Kbytes Page:4 Pages | LittelfuseLittelfuse Inc. 力特富斯(Littelfuse)力特公司 | |||
FieldProgrammableSSVersaClockSynthesizer 文件:90.86 Kbytes Page:10 Pages | IDT Integrated Device Technology, Inc. | |||
FieldProgrammableSSVersaClockSynthesizer 文件:90.86 Kbytes Page:10 Pages | IDT Integrated Device Technology, Inc. | |||
FieldProgrammableSSVersaClockSynthesizer 文件:90.86 Kbytes Page:10 Pages | IDT Integrated Device Technology, Inc. |
UPC251D产品属性
- 类型
描述
- 型号
UPC251D
- 功能描述
GENERAL PURPOSE DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
2016+ |
SOP8 |
3000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
NEC |
2019 |
SOP8 |
55000 |
进口原装现货一定自己库存 |
|||
NEC |
22+ |
SOP-8 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
NEC |
2020+ |
SOP8 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
NEC |
22+ |
SOP8 |
2568 |
原装优势!绝对公司现货 |
|||
NEC |
23+ |
NA/ |
3289 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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NEC |
24+ |
CDIP8P |
6868 |
原装现货,可开13%税票 |
|||
NEC |
SOP8 |
893993 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
NEC |
2325+ |
SMD |
33000 |
无敌价格 主销品牌 正规渠道订货 免费送样!!! |
|||
NEC |
23+ |
SOP8 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
UPC251D规格书下载地址
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2022-6-6UPB1509GV RENESAS/瑞萨
www.hfxcom.com
2021-12-9UP9616Q
UP9616Q,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-8-7UPC1093-可调节精密并联稳压器
描述该mPC1093可调精密并联稳压器的热稳定性保证。输出电压可设置之间的任何参考电压(2.495V)和36V值由两个外部电阻器。这些IC可应用于开关稳压器的误差放大器。特征•高精度•低温度系数•通过两个外部电阻调节输出电压•低动态阻抗订购信息型号封装mPC1093J3针塑料高级督察(至-92)mPC
2013-3-13UPC317-3终端正可调稳压器
描述mPC317是正电压可调三端稳压器,其中有1.5一个输出电流能力。可以由两个外部电阻设置输出电压1.3V和30V之间的任何值。特点•超过1.5A的输出电流•芯片上的一些保护电路(过电流保护,SOA保护和热关机)。
2013-1-9UPC8112TB-IC
描述mPC8112TB是硅单片集成电路,第一频率下转换器设计用于蜂窝/无绳电话接收阶段。该IC组成的混频器和地方放大器。mPC8112TB功能高阻抗集电极开路输出。mPC2757TB和mPC2758TB类似的IC可提供低阻抗射极跟随输出。这些结核病后缀及晶片,体积更小比传统T后缀集成电路的封装有助于减少您的系统的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20GHz的FTNESAT™III硅双极工艺制造。此过程使用氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以从外部污染芯片表面保护防止腐蚀/迁移。因此,该IC具有优良的性能,均匀性和可靠性。应用
2012-12-14
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