位置：首页 > IC中文资料第5724页 > UPC1222C(R)
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Customer Specification Construction 1) Conductor a) Material Tinned Copper, per ASTM B-33 and CID-A-A-59551, latest revision b) Stranding Solid 2) Braid Data a) Nominal Dimensions .031 x .020 Inches b) AWG of Ends 36 c) Number of Carriers 16 d) Nominal Percent Coverage N/A e) Total Number of Ends 16 f) Approx. | ALPHAWIRE |   | ||
SILICON TRANSISTORS PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS | RENESAS 瑞萨 | | ||
ROTARY MOTION | PRECISION SENSOR Features • Servo Mount / Ball Bearing • 7/8” TO 3” Diameter Servo Mount • Conductive Plastic Single-turn Precision Potentiometers | Sensata 森萨塔 | | ||
9V SUPER HEAVY DUTY 文件：90.84 Kbytes Page：2 Pages | ENERGIZER 劲量 | | ||
500/10 31 GW 文件：121.79 Kbytes Page：2 Pages | ADELS | |
UPC1222C(R)产品属性
- 类型
描述
- 型号
UPC1222C(R)
- 功能描述
AM调谐器和带正交检波的FM中频放大器
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
3M |
24+ |
3M |
20000 |
原装正品支持实单 |
|||
3M |
2407+ |
30098 |
全新原装!仓库现货,大胆开价! |
||||
N/A |
23+ |
SOP-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
3M |
23+ |
连接器 |
6985 |
||||
MICROCHIP/微芯 |
25+ |
SOP28 |
13 |
全新原装正品支持含税 |
|||
3M |
2024+ |
SMD |
374 |
原厂全新正品供应商 |
|||
TI |
10+ |
SOP8 |
6000 |
绝对原装自己现货 |
|||
MICROCHIP |
25+23+ |
SOP28 |
29525 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
AMPHENOL/安费诺 |
2508+ |
/ |
233927 |
一级代理，原装现货 |
|||
TI |
25+ |
SOP8 |
15000 |
一级代理原装现货 |
UPC1222C(R)规格书下载地址
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2021-12-9UP9616Q
UP9616Q,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-8-7UPC1093-可调节精密并联稳压器
描述 该mPC1093可调精密并联稳压器的热稳定性保证。输出电压可 设置之间的任何参考电压（2.495 V）和36 V值由两个外部电阻器。 这些IC可应用于开关稳压器的误差放大器。 特征 •高精度 •低温度系数 •通过两个外部电阻调节输出电压 •低动态阻抗 订购信息 型号 封装 mPC1093J 3针塑料高级督察（至- 92） mPC
2013-3-13UPC317-3终端正可调稳压器
描述 mPC317是正电压可调三端稳压器，其中有1.5一个输出电流能力。可以由两个外部电阻设置输出电压1.3 V和30 V之间的任何值。 特点 •超过1.5 A的输出电流 •芯片上的一些保护电路（过电流保护，SOA保护和热关机）。
2013-1-9UPC8112TB-IC
描述 mPC8112TB是硅单片集成电路，第一频率下转换器设计用于蜂窝/无绳电话接收阶段。该IC组成的混频器和地方放大器。 mPC8112TB功能高阻抗集电极开路输出。 mPC2757TB和mPC2758TB类似的IC可提供低阻抗射极跟随输出。这些结核病后缀及晶片，体积更小比传统T后缀集成电路的封装有助于减少您的系统的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20 GHz的FT NESAT™III硅双极工艺制造。此过程使用氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以从外部污染芯片表面保护防止腐蚀/迁移。因此，该IC具有优良的性能，均匀性和可靠性。 应用
2012-12-14
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