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UPA811T-T1-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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CEL

California Eastern Labs

UPA811T-T1-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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CEL

California Eastern Labs

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4228 SMALL MINI MOLD

The µPA811T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band. FEATURES • Low Noise NF = 1.9 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V, IC = 3 mA • High Gain |S21e|2 = 6.5 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V, IC = 3 mA • A Small Mini Mold

NEC

瑞萨

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

The µPA811T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band. FEATURES • Low Noise NF = 1.9 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V, IC = 3 mA • High Gain |S21e|2 = 6.5 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V, IC = 3 mA • A Small Mini Mold

RENESAS

瑞萨

UPA811T-T1-A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPA811T-T1-A

  • 功能描述

    射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency

  • RoHS

  • 制造商

    NXP Semiconductors

  • 配置

    Single

  • 晶体管极性

    NPN

  • 最大工作频率

    7000 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    15 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    2 V

  • 集电极连续电流

    0.15 A

  • 功率耗散

    1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 封装/箱体

    SOT-223

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-8-8 17:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
24+
R6SMM3000PCS
2987
绝对全新原装现货供应!
NEC
2016+
DIP16
6523
只做原装正品现货!或订货!
CEL
24+
原厂原封
1000
原装正品
RENESAS
23+
SOT-363
63000
原装正品现货
RENESAS/瑞萨
23+
NA
25630
原装正品
NEC
23+
SOT-363
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
NEC
23+
DIP16P
8293
RENESAS/瑞萨
21+
NA
12820
只做原装,质量保证
CEL
23+
原厂原包
19960
只做进口原装 终端工厂免费送样
NEC
24+
5000

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